英伟达创新内存技术重塑市场格局，三星与SK海力士受冲击
英伟达近日在Hot Chips 2026大会上推出了其定制的高带宽内存技术NVHBM，标志着内存控制器与HBM堆栈的底部基片进行了重组。这一看似简单的设计变更，实际上对三星、SK海力士和美光等内存企业的市场地位构成了重大挑战。分析指出，HBM基片的制造成本是常规DRAM核心的三至四倍，而NVHBM技术正是英伟达夺取这块价值的关键所在。
在传统的HBM架构中，基片主要用于高速接口连接，内存控制器占据XPU主芯片的重要计算区域。而NVHBM将控制器集成到基片中，使得主芯片可腾出多达25%的空间用于计算单元。此外，单堆栈的带宽比标准HBM4E提高了30%，功耗降低15%，同时物理层和支持面积减少了67%。更为重要的是，这一技术重塑了内存市场的价值链。以往三大巨头通过整合基片与DRAM核心保持定价权，而NVHBM则使得英伟达能够独立设计控制器与接口，三大厂仅需按规格生产，从而将定价权转移给设计者。
目前，亚马逊的Annapurna Labs已率先将NVHBM应用于其Trainium4 AI芯片中，而联发科则在短时间内采用了NVLink Fusion方案，并获得了英伟达的资金支持。然而需要注意的是，HBM4E尚未正式上市，NVHBM所宣称的性能提升仍需实际验证。英伟达的明确目标是通过控制基片层，将内存子系统的价值牢牢掌握在手中，尽管三大厂仍在生产DRAM核心，但最具利润的部分已经被英伟达占有。 球友会
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